寬能隙半導體的發展近況 - 電子時報

寬能隙半導體的發展近況 GaN(氮化鎵)與SiC（碳化矽）這兩種寬能隙（wide band gap）半導體在大陸被稱之為第三代半導體，這是相對於第一代Si、第二代化合物半導體如GaAs(砷化鎵)而言的，它們的共同特性是帶隙比傳統半導體材料矽要寬的多。

電子線路的核心價值在可操控，在以電子為信息載子的技術範疇中操控的是導電與否，這能力是由材料的傳導性質所決定。

半導體之所以珍貴是因為它在施加電壓時導電、不施加電壓時絕緣，為此半導體的發現得了一個物理諾貝爾獎。

這主要的機制是靠材料的能帶結構。